參數(shù)資料
型號： IXTA5N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 5 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 102K
代理商： IXTA5N50P
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
10.00
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
o
C
相關PDF資料
PDF描述
IXUC100N055 Trench Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓55V,導通電阻7.7mΩ的N溝道增強型功率MOSFET)
IXUC120N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
IXUC160N075 Trench Power MOSFET
IXUC200N055 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
IXUC60N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA5N60P 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA60N10T 功能描述:MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA60N20T 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA62N15P 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA62N25T 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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