參數(shù)資料
型號(hào)： IXTA5N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 5 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 102K
代理商： IXTA5N50P
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
=
10V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 5A
I
D
= 2.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXUC100N055 Trench Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓55V,導(dǎo)通電阻7.7mΩ的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET)
IXUC120N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
IXUC160N075 Trench Power MOSFET
IXUC200N055 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
IXUC60N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM
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參數(shù)描述
IXTA5N60P 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA60N10T 功能描述:MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA60N20T 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA62N15P 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA62N25T 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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