參數(shù)資料
型號： IXSP10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXSP10N60B2D1
DS99193A(10/04)
Features
International standard packages
Guaranteed Short Circuit SOA
capability
Low V
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Fast fall time for switching speeds
up to 20 kHz
Applications
AC motor speed control
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding
Advantages
High power density
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
High Speed IGBT
with Diode
Short Circuit SOA Capability
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C110
I
F(110)
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
V
600
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 110
°
C
20
10
A
A
11
30
A
A
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
G
= 82
Clamped inductive load, V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V, V
= 360 V, T
J
= 125
°
C
R
G
= 150
,
non repetitive
T
C
= 25
°
C
I
= 20
@ 0.8 V
CES
A
t
(SCSOA)
10
μ
s
P
C
T
J
T
JM
T
stg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic Body
t = 10s
100
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
300
°
C
250
°
C
M
d
Weight
Mounting torque
(TO-220)
1.3/10 Nm/lb. in
2
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 750
μ
A, V
CE
= V
GE
4.0
7.0
V
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
75
μ
A
μ
A
200
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= 10A, V
GE
= 15 V
2.5
V
Preliminary Data Sheet
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.5 V
= 600 V
=
20 A
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
GCE
TO-220AB (IXSP)
D1
2004 IXYS All rights reserved
C (TAB)
C (TAB)
G
E
TO-263 (IXSA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSH10N120AU1 IGBT with Diode
IXSH10N60 High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH10N60A High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH15N120A IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP2N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
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