參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH25N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： IXSH25N100
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation. All rights reserved.
IXSH 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
IXSM 25N100
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
= 25°C
11V
7V
9V
13V
V
GE
= 15V
V
GE
=15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 10V
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 2.5mA
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2
Output Characterstics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSM25N100 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120AU1 IGBT with Diode
IXSH25N120A IGBT
IXSH30N60BD1 High Speed IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH25N100A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120A 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH25N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 200V50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
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