參數(shù)資料
型號(hào)： IXKC13N80C
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
中文描述： 13 A, 800 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 1145K
代理商： IXKC13N80C
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
4,850,072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
83
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640 V, I
D
= 17 A
9
nC
42
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640V
I
D
= 17 A, R
G
= 4.7
15
ns
75
ns
10
ns
R
thJC
R
thCH
1.0
K/W
0.30
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
= 6.5 A, V
GS
= 0 V
Note 3
1
1.2
V
Note: 1. MOSFET chip capability
2. Intrinsic diode capability
3. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
IXKC 13N80C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXTA2N80 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻6.2Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
IXTA36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTP36N30P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKC15N60C5 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC19N60C5 功能描述:MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC20N60C 功能描述:MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC23N60C5 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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