參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT60N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 586K
代理商： IXGT60N60C2
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 60N60C2
IXGT 60N60C2
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGJ50N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGK120N60B HiPerFAST IGBT
IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT60N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT64N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
IXGT64N60B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
IXGT6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT6N170A 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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