參數(shù)資料
型號： IXGT50N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 585K
代理商： IXGT50N60B2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 50N60B2
IXGT 50N60B2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
20
40
60
80
I
C
- Amperes
100 120 140 160 180 200
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 20A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy
on I
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
20
30
40
50
60
70
80
I
C
- Amperes
E
o
R
G
= 5
R
G
= 24.4
- - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Temperature
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 80A
R
G
= 5
R
G
= 24.4
- - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 20A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Switching Time on R
G
100
1000
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
S
I
C
= 40A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 20A
I
C
= 80A
500
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Switching Time
on I
C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
20
30
40
50
60
70
80
I
C
- Amperes
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
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PDF描述
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IXGT50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 900V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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