參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT30N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： IXGT30N60B2
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 30N60B2
IXGT 30N60B2
Fig. 14. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
10
20
Q
G
- nanoCoulombs
30
40
50
60
70
V
G
V
CE
= 300V
I
C
= 24A
I
G
= 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-Off
Switching Time on Temperature
80
100
120
140
160
180
200
220
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
I
C
= 12A
24A
48A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 48A
24A
12A
Fig. 16. Maximum Transient Thermal Resistance
0.1
1.0
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGT30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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