參數(shù)資料
型號： IXGT20N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： IXGT20N120
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
TO-268 Outline
TO-247
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
12
16
S
C
ies
C
oes
1750
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
90
pF
C
res
31
pF
I
C(ON)
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V
90
A
Q
g
Q
ge
Q
gc
63
13
26
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
28
20
ns
ns
ns
ns
mJ
400
380
6.5
800
700
10.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
30
27
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.90
700
550
9.5
R
thJC
R
thCK
0.83
K/W
K/W
TO-247
0.25
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching
times
may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGH 20N120
IXGT 20N120
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
TO-247 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
.140
0.232 0.252
.170
.216
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PDF描述
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參數(shù)描述
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