參數(shù)資料
型號： IXGR32N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： IXGR32N60C
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
IXGR 32N60C
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
64
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
V
G
0
4
8
12
16
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
E
(
0
1
2
3
4
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
E
(
0
1
2
3
4
E
(
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
CE
= 300V
I
C
= 16A
I
C
= 32A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 64A
E
(OFF)
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 32A
E
(ON)
E
(OFF)
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
相關PDF資料
PDF描述
IXGR39N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.8V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXKC13N80C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
IXSA15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGR32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 900V 2.9 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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