參數(shù)資料
型號： IXGN50N60BD2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶快速恢復(fù)外延型二極管))
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： IXGN50N60BD2
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
5
10
15
20
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
= 250V
I
C
=50A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 5.2
dV/dt < 5V/ns
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
600
E
(OFF)
E
(OFF)
I
C
=25A
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
IXGN 50N60BD2
IXGN 50N60BD3
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
Fig. 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN50N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V，VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN72N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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