參數(shù)資料
型號： IXGH32N60BU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 85K
代理商： IXGH32N60BU1
4 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
1
2
3
4
5
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
J
= 125
°
C
I
C
= 32A
I
- Amperes
0
20
40
60
80
E
(
0
1
2
3
4
5
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
= 300V
I
C
= 32A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
IXGH32N60BU1
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
Fig. 7. Dependence of tfi and E
OFF
on I
C
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH32N60B HiPerFAST IGBT
IXGH32N60C HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH35N120 IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120C IGBT Lightspeed Series
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH32N60BU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N60C 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N60CS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N90B2 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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