參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH32N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IXGH32N60C
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 110 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 100 H
60
32
A
A
A
120
I
= 64
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
T
C
= 25 C
200
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
300
C
M
d
Weight
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-247 AD
TO-268
6
4
g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 250 A, V
CE
= V
GE
2.5
5
V
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
200
A
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
2.1
2.5
V
97538B (7/00)
TO-268
(IXGT)
C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
GCE
TO-247 AD
(IXGH)
E
C (TAB)
Features
International standard packages
JEDEC TO-247 and surface
mountable TO-268
High current handling capability
Latest generation HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
PFC circuits
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
IXGH 32N60C
IXGT 32N60C
V
CES
I
C25
V
CE(sat)typ
= 2.1 V
t
fi
typ
= 55 ns
= 600 V
= 60 A
HiPerFAST
TM
IGBT
Lightspeed
TM
Series
G
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH35N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH35N120 IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGT35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGH38N60U1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N60CS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N90B2 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH34N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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