參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH30N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： IXGH30N60
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. High Temperature Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
IXGH 30N30
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Capacitance Curves
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N60A 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXGH30N60B 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*