參數(shù)資料
型號： IXGH30N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 60 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： IXGH30N30
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2000 IXYS All rights reserved
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
IXGH 30N30
相關PDF資料
PDF描述
IXGH30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N30S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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