參數(shù)資料
型號： IXGH15N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 170K
代理商： IXGH15N120B
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH 15N120B
IXGT 15N120B
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
1200
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
C
- Amperes
5
10
15
20
25
30
35
E
(
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
= 600V
I
C
= 15A
T
J
= -55 to +125°C
R
G
= 10
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single pulse
IXGH15N120B-P2
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
30
T
J
= 125°C
I
C
= 15A
E
(OFF)
I
C
= 7.5A
I
C
= 30A
E
(OFF)
E
(OFF)
E
(OFF)
Fig. 7. Dependence of tfi and E
OFF
on I
C.
Fig. 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
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PDF描述
IXGH16N170A High Voltage IGBT
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IXGT16N170AH1 High Voltage IGBT
IXGH16N170 High Voltage IGBT
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參數(shù)描述
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IXGH15N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120C 功能描述:IGBT 30A 1200V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH15N120CD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH16N170 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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