參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH15N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： IXGH15N120B
2002 IXYS All rights reserved
IXGH 15N120B
IXGT 15N120B
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
5V
T
J
= 25
O
C
7V
V
GS
= 15V
13V
11V
IXG_15N120B-P1
9V
V
GE
= 15V
T
J
- Degrees C
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
C
= 30A
I
C
= 15A
I
C
= 7.5A
V
CE
- Volts
0
5
10
15
I
C
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 25
o
C
13V
V
GE
= 15V
11V
9V
7V
5V
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -40
o
C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
= 125
O
C
5V
7V
V
GS
= 15V
13V
11V
9V
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics @ 25
o
C
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics @ 125
o
C
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of VCE(sat)
Fig. 6. Capacitance Curves
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PDF描述
IXGH16N170A High Voltage IGBT
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IXGT16N170AH1 High Voltage IGBT
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IXGH15N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXGH16N170 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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