參數(shù)資料
型號： IXFH12N50
廠商： IXYS Corporation
英文描述： RES, FILM, 1.33K, 1%, .100W, 100PPM, 0805
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFH12N50
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 10N100
IXFM 10N100
IXFH 12N100
IXFM 12N100
IXFH 13N100
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8
Capacitance Curves
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
C
iss
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10mA
Single Pulse
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.01
D=0.02
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PDF描述
IXFH12N100F HiPerRF Power MOSFETs
IXFT12N100F HiPerRF Power MOSFETs
IXFH12N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH12N50F N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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IXFH12N90 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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