參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH12N50
廠商： IXYS Corporation
英文描述： RES, FILM, 1.33K, 1%, .100W, 100PPM, 0805
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFH12N50
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 10N100
IXFM 10N100
IXFH 12N100
IXFM 12N100
IXFH 13N100
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3
R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4
Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10N100
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
6V
7V
V
GS
= 10V
12N100
I
D
= 6A
V
GS
= 15V
5V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH12N100F HiPerRF Power MOSFETs
IXFT12N100F HiPerRF Power MOSFETs
IXFH12N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH12N50F N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT12N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH12N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268
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