參數(shù)資料
型號： IXBT16N170A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 16 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 51K
代理商： IXBT16N170A
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
8
12.5
S
C
ies
C
oes
C
res
1400
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
90
31
Q
g
Q
ge
Q
gc
65
13
22
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
15
25
ns
ns
ns
ns
mJ
160
50
1.2
250
100
2.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
15
28
2.0
220
150
ns
ns
mJ
ns
ns
E
off
2.6
mJ
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Reverse Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
t
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
< 300 us, duty cycle d < 2%
5.0
V
I
RM
t
rr
I
F
v
R
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 50 A/us
= 100V
10
A
360
ns
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXBH 16N170A
IXBT 16N170A
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
TO-247 AD Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
TO-268AA (D
3
PAK)
Min. Recommended Footprint
Notes:
1. Device must be heatsunk for high
temperature leakage current
measurements to avoid thermal
runaway.
2. Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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IXBT20N300HV 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 50A 250W TO268
IXBT24N170 功能描述:MOSFET BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBT2N250 功能描述:IGBT 2500V 5A 32W TO268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBT32N300 功能描述:IGBT 3000V 80A 400W TO268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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