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參數(shù)資料
| 型號： | ISL84684 |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1024 x 36 synchronous FIFO Memory 132-BQFP 0 to 70 |
| 中文描述： | 超低導通電阻，低電壓，單電源，雙路SPDT模擬開關 |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 406K |
| 代理商： | ISL84684 |
9
FIGURE 15. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 16. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 17. CROSSTALK AND OFF ISOLATION
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
114
PROCESS:
Submicron CMOS
Typical Performance Curves
T
A
= 25°C, Unless Otherwise Specified
(Continued)
V+ (V)
V
I
I
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
INH
V
INL
FREQUENCY (MHz)
0
-3
-6
N
GAIN
PHASE
V+ = 3V
0
20
40
60
80
100
P
1
10
100
600
V
IN
= 0.2V
P-P
to 2V
P-P
R
L
= 50
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M 500M
10k
10M
-110
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
C
O
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ISOLATION
CROSSTALK
V+ = 3V
ISL84684
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