參數(shù)資料
型號(hào)： IS61NVF102436A-7.5TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 5/23頁
文件大?。?/td> 402K
代理商： IS61NVF102436A-7.5TQI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
13
Rev. B
06/09/08
IS61NLF102436A/IS61NVF102436A
IS61NLF204818A/IS61NVF204818A
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
6.5
7.5
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min. Max.
Unit
fmax
ClockFrequency
—
133
—
117
MHz
tkc
CycleTime
7.5
—
8.5
—
ns
tkh
ClockHighTime
2.2
—
2.5
—
ns
tkl
ClockLowTime
2.2
—
2.5
—
ns
tkq
ClockAccessTime
—
6.5
—
7.5
ns
tkqx(2)
Clock High to Output Invalid
2.5
—
2.5
—
ns
tkqlZ(2,3)
ClockHightoOutputLow-Z
2.5
—
2.5
—
ns
tkqhZ(2,3)
ClockHightoOutputHigh-Z
—
3.8
—
4.0
ns
toeq
OutputEnabletoOutputValid
—
3.2
—
3.4
ns
toelZ(2,3)
OutputEnabletoOutputLow-Z
0
—
0
—
ns
toehZ(2,3)
OutputDisabletoOutputHigh-Z
—
3.5
—
3.5
ns
tAs
AddressSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tws
Read/WriteSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tces
ChipEnableSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tse
ClockEnableSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tAdVs
AddressAdvanceSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tds
DataSetupTime
1.5
—
1.5
—
ns
tAh
AddressHoldTime
0.65
—
0.65
—
ns
the
ClockEnableHoldTime
0.5
—
0.5
—
ns
twh
WriteHoldTime
0.5
—
0.5
—
ns
tceh
ChipEnableHoldTime
0.5
—
0.5
—
ns
tAdVh
AddressAdvanceHoldTime
0.5
—
0.5
—
ns
tdh
DataHoldTime
0.5
—
0.5
—
ns
tPds
ZZHightoPowerDown
—
2
—
2
cyc
tPus
ZZLowtoPowerDown
—
2
—
2
cyc
Notes:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteedbutnot100%tested.Thisparameterisperiodicallysampled.
3. TestedwithloadinFigure2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISC-100815UH+/-20% 1 ELEMENT, 15 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812181KRE4 1 ELEMENT, 180 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812151KRE4 1 ELEMENT, 150 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812121KRE4 1 ELEMENT, 120 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812680KRE4 1 ELEMENT, 68 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61NVF25672-6.5B1 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-7.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,7.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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