參數(shù)資料
型號： IS61NVF102436A-7.5TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 2/23頁
文件大?。?/td> 402K
代理商： IS61NVF102436A-7.5TQI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
06/09/08
IS61NLF102436A/IS61NVF102436A
IS61NLF204818A/IS61NVF204818A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
6.5
7.5
MAX
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp. range
x18
x36
x18
x36
Unit
Icc
ACOperating
DeviceSelected,
Com.
400
375
mA
Supply Current
OE
= VIh, ZZ ≤ VIl,
Ind.
425
400
All Inputs ≤ 0.2V or ≥ Vdd – 0.2V,
CycleTime≥ tkc min.
typ.(2)
390
340
Isb
Standby Current
Device Deselected,
com.
200
190
mA
TTLInput
Vdd = Max.,
Ind.
210
200
All Inputs ≤ VIl or ≥ VIh,
ZZ ≤ VIl, f=Max.
IsbI
Standby Current
Device Deselected,
Com.
100
mA
cmos Input
Vdd = Max.,
Ind.
105
105
VIn ≤Vss +0.2Vor≥Vdd –0.2V
f=0
typ(2)
40
Note:
1. MODEpinhasaninternalpullupandshouldbetiedtoVddorVss.Itexhibits±100Amaximumleakagecurrentwhentiedto≤
Vss+0.2Vor≥Vdd–0.2V.
2. TypicalvaluesaremeasuredatVcc =3.3V,TA=25
oCandnot100%tested.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
3.3V
2.5V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Voh
OutputHIGHVoltage
Ioh = –4.0mA (3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
Ioh = –1.0mA (2.5V)
Vol
OutputLOWVoltage
Iol = 8.0 mA (3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
Iol = 1.0 mA (2.5V)
VIh
InputHIGHVoltage
2.0
Vdd + 0.3
1.7
Vdd + 0.3
V
VIl
InputLOWVoltage
–0.3
0.8
–0.3
0.7
V
IlI
InputLeakageCurrent
Vss ≤ VIn ≤ Vdd(1)
–5
5
–5
5
A
Ilo
OutputLeakageCurrent
Vss ≤ VouT ≤ Vddq, OE = VIh
–5
5
–5
5
A
OPERATING RANGE (IS61NVFx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5V±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
2.5V±5%
OPERATING RANGE (IS61NLFx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3V±5%
3.3V/2.5V±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
3.3V±5%
3.3V/2.5V±5%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISC-100815UH+/-20% 1 ELEMENT, 15 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812181KRE4 1 ELEMENT, 180 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812151KRE4 1 ELEMENT, 150 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812121KRE4 1 ELEMENT, 120 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812680KRE4 1 ELEMENT, 68 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61NVF25672-6.5B1 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-7.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,7.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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