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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16400L |
| 英文描述： | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| 中文描述： | 2（1）字× 8（16）位× 4銀行（64兆位）同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 65/68頁 |
| 文件大小： | 1526K |
| 代理商： | IS42S16400L |
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T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=Full Page, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Hi-Z
Ra
QBa0
Write
Command
Bank B
QAa0
Ra
Activate
Command
Bank B
QAb0
QAb1
QBb0
QBb1
QAc0
QAc1
QAc2
QBc0
QBc1
QBc2
Write
Command
Bank A
Precharge
Cc
Cc
Rb
Ra
Ra
Ca
Ca
Cb
Cb
Rb
tRP
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Command Bank B
(Precharge Termination)
Write Data
is masked
(Bank D)
*BS0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S8800 | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S8800L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S16800A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS32400A-10BI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800A | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10BI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
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