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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16400L |
| 英文描述： | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| 中文描述： | 2（1）字× 8（16）位× 4銀行（64兆位）同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 62/68頁 |
| 文件大小： | 1526K |
| 代理商： | IS42S16400L |
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T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=Full Page, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
Ra
DAa+1
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Burst Stop
Command
CBank B
DAa
Full page burst operation
does not terminate when
the burst length is satisfied;
the burst counter increments
and continues bursting
beginning with the starting
address
Ra
tBDL
High
Activate
Command
Bank B
DAa+2 DAa+3 DAa-1
DAa
DAa+1
DBa
DBa+1 DBa+2 DBa+3 DBa+4 DBa+5
Activate
Bank B
Precharge
Command
Bank B
Ra
Rb
Ca
Ra
Ca
Rb
Data is ignored.
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S8800 | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S8800L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S16800A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS32400A-10BI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800A | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10BI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-10T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
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