參數資料
型號： IRLU7843CPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 5/11頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： IRLU7843CPBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
40
80
120
160
ID
LIMITED BY PACKAGE
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.5084 0.000392
0.5423 0.011108
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相關PDF資料
PDF描述
IRLR8103VPBF N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRLR8113PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8113PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8721PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8721PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
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參數描述
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