參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU3410PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： IRLU3410PBF
IRLR/U3410PbF
8
www.irf.com
12
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
DATE CODE
PART NUMBER
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
ASSEMBLY
LOT CODE
916A
34
IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
OR
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
12
34
PART NUMBER
IRFU120
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR3705ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRLU3705ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRLR3715PBF SMPS MOSFET
IRLU3715PBF SMPS MOSFET
IRLR3715ZPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU3636PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU3705ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 89A 3PIN IPAK - Bulk
IRLU3705ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3714 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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