參數(shù)資料
型號： IRLU014N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： IRLU014N
IRLR/U014N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
,Source-to-Drain Voltage (V)
SD
1.0
1.4
1.8
V
I
,
S
V
= 0 V
GS
T = 25 C
°
T = 175 C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
DS
10us
100us
1ms
10ms
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
0
5
10
15
V
,
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
6 A
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
0
100
200
300
400
500
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C
SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
ds
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
IRLR014N HEXFET Power MOSFET
IRLZ10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-220AB
IRLZ14A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRLZ20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRLZ24A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLU014PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251
IRLU024 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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