參數資料
型號: IRLL024NQ
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | SOT-223
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 3.1AI(四)|的SOT - 223
文件頁數: 9/9頁
文件大小: 158K
代理商: IRLL024NQ
IRLL014N
www.irf.com
9
SOT-223 Outline
Tape & Reel Information
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED D IRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN .
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. C ON TR OLLING DIMENSION : MILLIME TER .
2. OUTLIN E CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CO NTAINS 2,500 D EVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE C OMFOR MS TO EIA-418-1.
2. CONTR OLLING DIMEN SION: MILLIM ETER..
3. DIMENSION MEASUR ED @ HU B.
4. IN CLU DES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 1/99
相關PDF資料
PDF描述
IRLL014N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
IRLL1905 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB
IRLM014A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223
IRLP2505
IRLP2505 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRLL024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 4.4A, 65 mOhm, 10.4 nC Qg, Logic Level, SOT-223
IRLL024NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL024Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL024ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
IRLL024ZPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube