參數(shù)資料
型號： IRLI640
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份證\u003d 9.9A）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRLI640
IRLI640G
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
5.0V
5.0V
0
100
200
300
400
500
600
700
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
I
TOP 4.4A
6.3A
BOTTOM 9.9A
A
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PDF描述
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IRLI640G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLIB4343 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLIB4343PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:39W;;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 19A TO220FP
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