參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI2505
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 51A I(D) | SOT-186
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 51A條（?。﹟的SOT - 186
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： IRLI2505
IRLI2505
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
o ss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 54A
V = 44V
V = 28V
10
100
1000
0.4
0.8
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
T = 25°C
V = 0V
GS
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLI3103
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IRLI520G TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
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參數(shù)描述
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IRLI2910 功能描述:MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLI2910HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
IRLI2910PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI3103 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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