參數(shù)資料
型號： IRLBD59N04E
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： IRLBD59N04E
IRFLBD59N04E
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Sense Diode Voltage Drop
Vs.Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
14A
29A
35A
TOP
BOTTOM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
S
IF = 250uA
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PDF描述
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