參數(shù)資料
型號： IRLBA1304P
英文描述： 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
中文描述： 單40V的N溝道HEXFET功率MOSFET的在超級220（到273AA）封裝
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 95K
代理商： IRLBA1304P
IRLBA1304/P
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
4.5 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
41A
71A
100A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLBA1304P HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLBL1304 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AA
IRLC1304 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP
IRLC9024N TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | CHIP
IRLF110 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLBA3803 功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLBA3803/P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
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