參數(shù)資料
型號(hào)： IRL7833S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRL7833S
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL7N1404 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRL830S POWER MOSFET
IRL830T POWER MOSFET
IRLBA1304 Power MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRL7833STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL7833STRRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL7N1404 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 55A 3SMD-1 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 40 V 100 W 115 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SMD-1
IRL7NJ3802 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
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