參數(shù)資料
型號： IRL7833S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRL7833S
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
–––
–––
–––
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
18
–––
3.1
3.8
3.7
4.5
–––
2.3
-11
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
32
47
8.7
–––
5.1
–––
13
–––
5.3
–––
18
–––
22
–––
18
–––
50
–––
21
–––
6.9
–––
4170
–––
950
–––
470
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
150
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
600
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
42
34
1.2
63
51
V
ns
nC
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V, I
D
= 30A
Conditions
14
Max.
560
30
= 1.0MHz
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 38A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 30A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Clamped Inductive Load
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 26A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 30A
T
J
= 25°C, I
F
= 30A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
MOSFET symbol
–––
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL7N1404 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRL830S POWER MOSFET
IRL830T POWER MOSFET
IRLBA1304 Power MOSFET
IRLBD59N04E HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRL7833STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL7833STRRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL7N1404 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 55A 3SMD-1 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 40 V 100 W 115 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SMD-1
IRL7NJ3802 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
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