參數(shù)資料
型號： IRL5Y7413CM
英文描述： 30V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package
中文描述： 30V的單個N -溝道高可靠性MOSFET的采用TO - 257AA封裝
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRL5Y7413CM
IRL5Y7413CM
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
18A
V
= 6V
DS
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
相關PDF資料
PDF描述
IRL610S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB
IRL611 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB
IRL610S 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL621 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRL624 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | SO
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRL5Y7413CMSCV 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 18A 3PIN TO-257AA - Bulk
IRL5Y7413CMSCX 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 18A 3PIN TO-257AA - Bulk
IRL610 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRL610A 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL610S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB
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