參數(shù)資料
型號(hào)： IRL3202S
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： IRL3202S
IRL3202S
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
I
D
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
13A
18A
29A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRL3502S HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管,理想用于CPU 核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)
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