參數(shù)資料
型號(hào)： IRL3202S
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IRL3202S
IRL3202S
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
3
6
9
12
15
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
29A
V
= 16V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL3502S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3502S HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管,理想用于CPU 核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)
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參數(shù)描述
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