參數(shù)資料
型號： IRL3103D1S
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： IRL3103D1S
IRL3103D1S
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE W IDTH
T = 25°C
J
VGS
2.5V
Fig 3.
Typical Reverse Output Characteristics
Fig 4.
Typical Reverse Output Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
VGS
2.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
0.0V
VGS
VSD
I
S
0
10
20
30
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
I
S
VSD
0.0V
B
VGS
8.0V
4.0V
BOTTOM 0.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3103D1 MB 8C 8#12 SKT PLUG
IRL3103 Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
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IRL3103L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
IRL3103S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
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參數(shù)描述
IRL3103D1SPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D2 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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