參數(shù)資料
型號： IRL3103D1S
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： IRL3103D1S
IRL3103D1S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction and Schottky diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 32A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
S
= 1.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 32A
di/dt = 100A/μs
I
F
(AV)
( Schottky)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
V
SD1
V
SD2
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
–––
–––
51
49
1.3
0.50
77
73
V
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 10 )
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Uses IRL3103D1 data and test conditions
Body Diode & Schottky Diode Ratings and Characteristics
2.0
220
A
–––
–––
G
D
S
**
When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer
to application note #AN-994.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
–––
0.037 –––
–––
––– 0.014
–––
––– 0.019
1.0
–––
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
–––
210
–––
20
–––
54
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 34A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 28A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 34A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 32A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 15V
I
D
= 32A
R
G
= 3.4
,
V
GS
=4.5V
R
D
= 0.43
,
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
0.10
22
100
-100
43
14
23
–––
–––
–––
–––
V
S
mA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Input Capacitance
–––
–––
–––
–––
1900 –––
810
240
3500 –––
–––
–––
MOSFET Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3103D1 MB 8C 8#12 SKT PLUG
IRL3103 Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
IRL3103D2 FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=54A)
IRL3103L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
IRL3103S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL3103D1SPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D2 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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