參數(shù)資料
型號： IRL2910N
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代理商： IRL2910N
IRL2910
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 12A
20A
BOTTOM 29A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
I
AS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3202S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3202S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRL3303L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-262AA
IRL3402S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA
IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL2910PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 260mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2910S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRL2910SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRL2910SPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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