參數(shù)資料
型號： IRL2910N
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 146K
代理商： IRL2910N
IRL2910
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3202S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3202S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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IRL3402S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA
IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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