參數(shù)資料
型號: IRGS10B60KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 4/15頁
文件大?。?/td> 324K
代理商: IRGS10B60KD
IRG/B/S/SL10B60KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
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35
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VF (V)
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IF
-40°C
25°C
150°C
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VCE (V)
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15
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25
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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PDF描述
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IRGB20B60PD1 SMPS IGBT
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參數(shù)描述
IRGS10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS10B60KDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS10B60KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS10B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 12A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS10B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: