參數(shù)資料
型號： IRGS10B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： IRGS10B60KD
IRG/B/S/SL10B60KD
www.irf.com
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V
C
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I
C
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CE
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CE
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CE
Eoff Loss
tf
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0
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time (μs)
V
C
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0
5
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I
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TEST CURRENT
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tr
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time (μS)
V
F
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I
F
Peak
I
RR
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RR
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RR
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Peak
IRR
0
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50
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150
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5.00
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15.00
time (μS)
V
C
0
50
100
I
C
V
CE
I
CE
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
相關PDF資料
PDF描述
IRGSL10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB20B60PD1 SMPS IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS10B60KDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS10B60KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS10B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 12A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS10B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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