參數(shù)資料
型號(hào)： IRGPS60B120KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 135K
代理商： IRGPS60B120KD
IRGPS60B120KD
www.irf.com
3
0
50
100
150
200
TC (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
P
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
JS
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.1
1
10
100
1000
IC
2 μs
10 μs
100 μs
1ms
10ms
DC
10
100
1000
10000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
IC
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRH7450SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)
IRH9130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS60B120KDP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247
IRGPS60B120KDP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRGR2B60KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600
IRGR2B60KDTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600 - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:T&R / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600
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