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參數資料
| 型號： | IRGPF20F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | IRGPF20F |
C-253
IRGPF20F
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0.56
0.57
0.58
0.59
0.60
0.61
0.62
20
25
30
35
40
45
50
55
T
R , Gate Resistance ( )
W
V = 720V
V = 15V
T = 25°C
I = 5.3A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
R = 50
V = 15V
V = 720V
I = 11A
I = 5.3A
I = 2.7A
0
100
200
300
400
500
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
V = 400V
I = 5.3A
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參數描述 |
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