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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGPF20F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | IRGPF20F |
C-252
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGPF20F
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
I = 11A
I = 5.3A
I = 2.7A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
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