參數(shù)資料
型號(hào): IRGP35B60PD
廠商: International Rectifier
英文描述: WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: WARP2系列IGBT與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 8/10頁
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代理商: IRGP35B60PD
IRGP35B60PD
8
www.irf.com
Fig.C.T.1
- Gate Charge Circuit (turn-off)
Fig.C.T.2
- RBSOA Circuit
L
Rg
80 V
DUT
480V
1K
VCC
DUT
0
L
Fig.C.T.4
- Resistive Load Circuit
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
Fig.C.T.3
- Switching Loss Circuit
Fig. C.T.5
- Reverse Recovery Parameter
Test Circuit
REVERSE RECOVERY CIRCUIT
IRFP250
D.U.T.
L = 70μH
V = 200V
0.01
G
D
S
dif/dt
PFC diode
L
Rg
VCC
DUT /
DRIVER
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IRGP35B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRGP4050PBF 功能描述:IGBT 晶體管 250V Plasma Display Panel IGBT Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube