參數(shù)資料
型號: IRGP35B60PD
廠商: International Rectifier
英文描述: WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: WARP2系列IGBT與超快軟恢復二極管
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大小: 287K
代理商: IRGP35B60PD
IRGP35B60PD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
Fig. 4
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 125°C; tp = 80μs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
Pt
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4050 PDP Switch
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
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參數(shù)描述
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IRGP35B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4050 功能描述:IC IGBT SWITCH PDP TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGP4050PBF 功能描述:IGBT 晶體管 250V Plasma Display Panel IGBT Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube