參數(shù)資料
型號(hào)： IRGIB6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 273K
代理商： IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 5.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 5.0A; T
J
= 150°C
0
5
10
15
20
IF (A)
0
5
10
15
20
25
IR
RG = 150
RG =22
RG =47
RG =100
0
50
100
150
200
RG (
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
200
400
600
800
1000
1200
QR
22
47
100
150
10A
5.0A
3.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B120UD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRGIB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB7B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGIH50F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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